Datasheet下载- 型号： MT47H256M8EB-187E:C TR
- 制造商： Micron Technology Inc
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT47H256M8EB-187E:C TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT47H256M8EB-187E:C TR价格参考。Micron Technology IncMT47H256M8EB-187E:C TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT47H256M8EB-187E:C TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT47H256M8EB-187E:C TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器型号为 MT47H256M8EB-187E:C TR，是一款高性能的移动DRAM（动态随机存取存储器），具体属于LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）类型。以下是该型号的应用场景分析： 1. 移动设备 - 智能手机和平板电脑：LPDDR2是早期智能手机和平板电脑中常用的内存技术，提供低功耗和高带宽特性，适合运行多任务操作系统（如Android或iOS）以及图形密集型应用。 - 便携式媒体播放器：支持高清视频解码和流畅的用户界面操作。 2. 嵌入式系统 - 工业控制设备：用于需要实时数据处理和低延迟响应的工业控制器、PLC（可编程逻辑控制器）等。 - 医疗设备：例如超声波设备、监护仪等，需要快速的数据采集与处理能力。 - 网络通信设备：如路由器、交换机等，用于数据包缓冲和快速转发。 3. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：支持导航、音频/视频播放等功能。 - 高级驾驶辅助系统（ADAS）：用于图像识别、传感器数据融合等计算任务。 4. 物联网（IoT）设备 - 提供足够的内存容量以支持边缘计算和数据分析，适用于智能家居、智能城市等领域的设备。 技术特点 - 低功耗设计：适合对电池续航有较高要求的设备。 - 高可靠性：符合工业级和车规级标准，适应恶劣环境。 - 兼容性强：支持多种处理器架构和操作系统。 总结来说，MT47H256M8EB-187E:C TR 主要应用于需要高效能、低功耗存储解决方案的领域，尤其适合移动设备、嵌入式系统和汽车电子等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 60BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT47H256M8EB-187E:C TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 60-FBGA（9x11.5） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2G（256M x 8） |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 1.875ns |
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